當一束單色線(xiàn)偏振光照射在磁光介質(zhì)薄膜表面時(shí),部分光線(xiàn)將發(fā)生透射,透射光線(xiàn)的偏振面與入射光的偏振面相比有一轉角,這個(gè)轉角被叫做磁光法拉第轉角(θF).而反射光線(xiàn)的偏振面與入射光的偏振面相比也有一轉角,這個(gè)轉角被叫做磁光克爾轉角(θk),這種效應叫做磁光克爾效應.磁光克爾效應包括三種情況:(1)縱向克爾效應,即磁化強度既平行于介質(zhì)表面又平行于光線(xiàn)的入射面時(shí)的克爾效應;(2)極向克爾效應,即磁化強度與介質(zhì)表面垂直時(shí)發(fā)生的克爾效應;(3)橫向克爾效應,即磁化強度與介質(zhì)表面平行時(shí)發(fā)生的克爾效應。
對于已經(jīng)寫(xiě)入了信息的磁光介質(zhì),要讀出所寫(xiě)的信息則需要利用磁光克爾效應來(lái)進(jìn)行.具體方法是:將一束單色偏振光聚焦后照射在介質(zhì)表面上的某點(diǎn),通過(guò)檢測該點(diǎn)處磁疇的磁化方向來(lái)辨別信息的"0"或"1"。例如,被照射的點(diǎn)為正向磁化,則在該點(diǎn)的反射光磁光克爾轉角應為+θk,相反被照射的點(diǎn)為反向磁化,則在該點(diǎn)的反射光磁光克爾轉角應為-θk。因此,如果偏振分析器的軸向恰好調整為與垂直于記錄介質(zhì)的平面成θk夾角,那么在介質(zhì)上反向磁化點(diǎn)的反射光線(xiàn)將不能通過(guò)偏振分析器,而在介質(zhì)的正向磁化處,反射光則可以通過(guò)偏振分析器。這表明反射光的偏振面旋轉了2θk的角度.這樣,如果我們在經(jīng)過(guò)磁光介質(zhì)表面反射的光線(xiàn)后方,在通過(guò)偏振分析器后的光路上安放一光電檢測裝置(例如光電倍增管),就可以很方便地辨認出反射點(diǎn)是正向磁化還是反向磁化,也就是完成了"0"和"1"的辨認.可見(jiàn),磁光克爾轉角在磁光信息讀出時(shí)扮演著(zhù)十分重要的角色.如果把磁光介質(zhì)附著(zhù)在可旋轉的圓盤(pán)表面,就構成了磁光盤(pán).磁光盤(pán)旋轉時(shí),如果同時(shí)有單色偏振光聚焦在磁光盤(pán)表面,就可實(shí)現光線(xiàn)的逐點(diǎn)掃描,即信息被連續讀出。
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