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磁光克爾效應測量系統JMTS-816系統構成及技術(shù)參數

更新時(shí)間:2022-10-24 點(diǎn)擊量:844

1·光學(xué)平臺:

  剛性隔震,不銹鋼貼面,1200*800*800mm,M6螺孔,25mm陣距,150mm臺板厚度,帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm,平臺載荷300Kg,固有頻率≤2.5Hz,阻尼比0.12~0.13R/S。

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2·矢量電磁鐵:

錦正茂二維矢量電磁鐵,每維大磁場(chǎng)0.26T,極面直徑30mm,磁場(chǎng)間隙40mm,中心10mm正方體內均勻區1%。

3·電磁鐵電源:

錦正茂單相雙極性恒流,大10A,小分辨率0.1mA,穩定性50ppm/h,對應小分辨率0.1Gauss。

4·激光器: Newport    632.8nm,2mW,2%穩定度,噪音<1% rms(30Hz~10MHz),通過(guò)聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。

5·起偏/檢偏器:格蘭-湯普森棱鏡,外徑25.4mm,通光孔徑10mm,消光比<5*10^-5,角度范圍14~16°,波長(cháng)范圍350~2300nm。您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技",就能看到我們的企業(yè)店鋪,聯(lián)系更加方便快速!

6·聚焦透鏡:K9雙凸,設計波長(cháng)633nm,外徑25.4mm,焦距150mm,焦距誤差±0.5%,面精度X方向λ/4,Y方向λ/2。

7·四分之一波片:?25.4mm,波長(cháng)632.8nm,投射波前畸變λ/8,相位延遲精度λ/100。

8·光電傳感器:15mm2感應面積,0.21A/W響應度,暗電流1nA,對430~900nm波長(cháng)光敏感,分流電阻200Mohm。

9·電流放大器:1pA/V大增益,1MHz帶寬,大輸入±5mA,大輸出±5V,增益精度為輸出的±0.05%

10·高精度電壓表:六位半,小分辨率0.1μV,90天準確度達到0.002%,四位半精度下快2000 readings/second

11·手動(dòng)位移和電動(dòng)旋轉樣品桿:   XYZ三維位移,XY行程25mm,Z行程13mm,轉動(dòng)360度,樣品座為直徑11mm的圓,上有電接頭。

12·計算機:聯(lián)想商用,集成多串口卡。




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