產(chǎn)品概述:
本儀器系統由:電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件。為本儀器系統專(zhuān)門(mén)研制的 JH10效應儀將恒流源,六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體,大大減化了實(shí)驗的連線(xiàn)與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學(xué)特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學(xué)特性必★的工具。 實(shí)驗結果由軟件自動(dòng)計算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall
Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。
此處只列出系統的主要技術(shù)指標。
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可測試材料:
半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等;? 低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等;
高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
技術(shù)指標:
* 磁 場(chǎng):10mm 間距為 2T 20mm 間距為 1.3T
* 樣品電流:0.05uA~50mA(調節 0.1nA)
* 測量電壓:0.1uV~30V ▲ 提供各類(lèi)測試標準材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)
* *小分辨率:0.1GS
* 磁場(chǎng)范圍:0-1T
* 配合高斯計或數采板可計算機通訊
* I-V 曲線(xiàn)及 I-R 曲線(xiàn)測量等
* 霍爾系數、載流子濃度等參數的變化曲線(xiàn)
* 電阻率范圍:10-7 ~1012 Ohm*cm
* 電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms
* 載流子濃度:103 ~1023 cm -3
* 遷移率:0.1~108 cm 2 /volt*sec
*測試全自動(dòng)化,一鍵處理
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高精度電磁鐵:
極頭直徑 100mm;
N,S 間距 10mm 時(shí)*大磁場(chǎng) 20000Gs;
N,S 間距 20mm 時(shí)*大 13000 高斯;
N, S 間距 30mm 時(shí)*大磁場(chǎng) 10000 高斯;
均勻區:間距 60mm 時(shí)直徑 10mm 均勻度范圍;1%
自重 210 公斤; 含支架及輪子
高精度高斯計:
精度:讀數的±0.30%
分辨力:0.01mT 量程:0-3T
探頭厚度:1.0mm
長(cháng)度 100mm 數字
Rs-232 接口數據讀取軟件配 GF-80探頭
高精度雙極性恒流電源輸出: ±10A±40V 功率;400W
① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續變化
② 電流可以平滑過(guò)零點(diǎn),非開(kāi)關(guān)換向
③ 輸出電流、電壓四象限工作(適合感性負載)
④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007~0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流)
※ 電流穩定度高,紋波低
①電流穩定度:優(yōu)于±25ppm/h(標準型);優(yōu) 于±5ppm/h(高穩型) ② 電流準確度:±(0.01%設定值+1mA) ③ 電流分辨率:20 bit,例 15A 電源,電流分辨率為 0.03mA
④ 源效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供電電壓變化 10%時(shí),輸出電流變化量)
⑤ 負載效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在負載變化 10%時(shí),輸出電流變化量)
⑥ 電流紋波(RMS):小于 1mA
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高精度高斯計:
高斯計探頭支架及樣品架 全鋁非導磁支架 5-70mm 可調;
樣品架夾具(按要求定制);
霍爾效應系統軟件:可數字化調節磁場(chǎng)及電流,測試各類(lèi)材料參數,
恒流源及測試表:
恒流源量程:±50nA-±50mA;
分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續可調;
高精度電壓數采儀范圍 0. 1uV-30V
精度:0.01%
內置測試矩陣轉換卡; 7 1 歐姆接觸套件 根據不同材料的歐姆接觸制作套件
聯(lián)系方式
郵箱:gulong@jinzhengmaoyiqi.com 地址:北京市大興區經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區金苑路2號1幢三層