霍爾效應測試儀—低溫型
霍爾效應測試儀—低溫型由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦,控溫儀,系統軟件。為本儀器系統專(zhuān)門(mén)研制的 JH10 效應儀將恒流源,六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體,大大減化了實(shí)驗的連線(xiàn)與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。霍爾效應測試儀-低溫型
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JH60D霍爾效應測試系統-低溫型產(chǎn)品概述:
本儀器系統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦,控溫儀,系統軟件。為本儀器系統專(zhuān)門(mén)研制的 JH10 效應儀將恒流源,六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體,大大減化了實(shí)驗的連線(xiàn)與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學(xué)特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗結果由軟件自動(dòng)計算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻)(Magnetoresistance)等
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JH60D霍爾效應測試系統-低溫型技術(shù)指標:
* :10mm間距為2T 30mm間距為1T
* 樣品電流:0.05uA~50mA(調節 0.1nA)
* 測量電壓:0.1uV~30V
* 提供各類(lèi)測試標準材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)
* 分辨率極小值:0.1GS
* 磁場(chǎng)范圍:0-1T
* 配合高斯計或數采板可計算機通訊
* I-V 曲線(xiàn)及 I-R 曲線(xiàn)測量等
* 霍爾系數、載流子濃度等參數隨溫度的變化曲線(xiàn)
* 電阻率范圍:10-7~1012 Ohm*cm
* 電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms
* 載流子濃度:103~1023cm-3
* 遷移率:0.1~108cm2/volt*sec
* 溫度調節 0.1K
* 溫區:77K-293K
* 測試全自動(dòng)化,一鍵處理
* 可實(shí)現相同溫差間的連續測量
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JH60D霍爾效應測試系統-低溫型系統構成 :
低溫霍爾效應測試系統由電磁鐵、真空泵、低溫真空腔、高斯計、恒流源、電磁鐵電流源、控溫儀和計算機及軟件組成。其中,電磁鐵電流源給電磁鐵提供電流,產(chǎn)生磁場(chǎng);高斯計測量線(xiàn)圈產(chǎn)生的均勻磁場(chǎng)值;恒流源一方面給樣品提供電流,用于霍爾效應測試,一方面可以測量樣品電壓;被測樣品置于低溫真空腔中,由低溫膠固定,并作為四個(gè)測試點(diǎn);低溫真空腔引出 4 根導線(xiàn),兩個(gè)連接控溫儀進(jìn)行溫度的測量及控制,另 1 根是低溫探頭引線(xiàn)連接到高斯計上,還有1根是霍爾樣片連接線(xiàn)接到恒流源上;計算機連接高斯計、控溫儀、恒流源和電磁鐵電流源,通過(guò)軟件實(shí)現控制通過(guò)被測樣品的電流和磁場(chǎng)值,并獲取測得的電壓值。
各系統參數:
高精度電磁鐵:
極頭直徑 100mm;
N,S 間距 10mm 時(shí)極大磁場(chǎng) 20000Gs
N,S 間距 20mm 時(shí)極大 13000 高斯
N, S 間距 30mm 時(shí)極大磁場(chǎng) 10000 高斯
均勻區:間距 60mm 時(shí)直徑 10mm 均勻度 范圍1%
自重 110 公斤, 含支架及輪子
高精度雙極性恒流電源
輸出: ±10A±80V 功率;800W
① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續變化
② 電流可以平滑過(guò)零點(diǎn),非開(kāi)關(guān)換向
③ 輸出電流、電壓四象限工作(適合感性負載)
④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007~0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流)
※ 電流穩定度高,紋波低
①電流穩定度:優(yōu)于±25ppm/h(標準型);優(yōu) 于±5ppm/h(高穩型) ② 電流準確度:±(0.01%設定值+1mA) ③ 電流分辨率:20 bit,例 15A 電源,電流分辨率為 0.03mA
④ 源效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供電電壓變化 10%時(shí),輸出電流變化量)
⑤ 負載效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在負載變化 10%時(shí),輸出電流變化量)
⑥ 電流紋波(RMS):小于 1mA
高精度高斯計:
精度:讀數的±0.30%
分辨力:0.01mT 量程:0-3T
探頭厚度:1.0mm
長(cháng)度 100mm 數字
Rs-232 接口數據讀取軟件配 GP3探頭
高斯計探頭支架及樣品架:
全鋁非導磁支架 5-70mm 可調;
樣品架夾具(按要求); 5 1 霍爾效應系統軟件 可數字化調節磁場(chǎng)及電流,測試各類(lèi)材料參數
低溫恒溫器:
80K-293K高低溫真空容器
TESK301 恒溫儀 控溫(65k-600k)
真空泵 K25 真空泵
恒流源及測試表
恒流源量程:±50nA-±50mA;
分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續可調;
高精度電壓數采儀范圍 0. 1uV-30V
精度:0.01%
內置測試矩陣轉換卡;
歐姆接觸套件 根據不同材料的歐姆接觸制作套件
控制軟件的介紹:
JH60D是一鍵式測量操作系統,只需設置幾個(gè)樣品參數以及需要的溫度,即可一鍵自動(dòng)測量,無(wú)需一直看管。測量時(shí)只需要設置好樣片通過(guò)的電流、樣片所在磁場(chǎng)環(huán)境的磁場(chǎng)大小、樣品厚度即可進(jìn)行測量,如需控溫,打開(kāi)溫度設置設定需要的溫度,選擇輸出的功率即可進(jìn)行控溫,溫度控制需要一小段時(shí)間(大概 1min),等溫度穩定后,即可進(jìn)行此溫度下的各項參數的測量,數據可以繪圖,可以導出至 EXCEL中以便后期處理及使用。
可測試材料: ?
半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等
低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等
高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
聯(lián)系方式
郵箱:gulong@jinzhengmaoyiqi.com 地址:北京市大興區經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區金苑路2號1幢三層