霍爾效應測試儀,是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學(xué)特性必須預先掌控的,因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學(xué)特性*的工具。
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該儀器為性能穩定、功能強大、性?xún)r(jià)比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶(hù)和度。
儀器輕巧方便,易于攜帶,主要用于量測電子材料之重要特性參數,如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等,薄膜或固體材料均可。
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產(chǎn)品概述:
本儀器系統由:電磁鐵、高精度電源、高斯計、高精度恒流源、高精度電壓表、 霍爾探頭、電纜、標準樣品、樣品安裝架、系統軟件。為本儀器系統專(zhuān)門(mén)研制的 JH10 效應儀將恒流源,六位半微伏表及霍耳測量復雜的切矩陣開(kāi)關(guān)組裝成一體,大大減化了實(shí)驗的連線(xiàn)與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學(xué)特性必須預先掌控的,因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學(xué)特性*的工具。 實(shí)驗結果由軟件自動(dòng)計算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。
技術(shù)指標:
* 磁 場(chǎng): 間距 10mm 情況下 10700 高斯, 間距 20mm 情況下 7000 高斯。
*樣品電流:50nA~50mA(*小可調節電流為 0.1nA)
*測量電壓:0.1uV~30V
* 提供各類(lèi)測試標準材料,各級別霍爾器件(靈敏度與精度不同)
**小分辨率: 1GS
*磁場(chǎng)范圍:0-±1T
*配合高斯計或數采板可與計算機通訊
* I-V 曲線(xiàn)及 I-R 曲線(xiàn)測量等 ▲ 電阻率范圍:10-7~1012 Ohm*cm
*電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms
*載流子濃度:103~1023cm-3
*遷移率:0.1~108cm2/volt*sec
*測試全自動(dòng)化,一鍵處理
*專(zhuān)業(yè)的歐姆接觸組合套件
自動(dòng)化霍爾效應測試系統組成:
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高精度度磁鐵電源:
※ 雙極性恒流輸出
① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續變化
② 電流可以平滑過(guò)零點(diǎn),非開(kāi)關(guān)換向
③ 輸出電流、電壓四象限工作(適合感性負載)
④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007~0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流)
※ 電流穩定度高,紋波低
①電流穩定度:優(yōu)于±25ppm/h(標準型);優(yōu) 于±5ppm/h(高穩型) ② 電流準確度:±(0.01%設定值+1mA) ③ 電流分辨率:20 bit,例 15A 電源,電流分辨率為 0.03mA
④ 源效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供電電壓變化 10%時(shí),輸出電流變化量)
⑤ 負載效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在負載變化 10%時(shí),輸出電流變化量)
⑥ 電流紋波(RMS):小于 1mA
霍爾樣品架:
用于固定,焊接霍爾器件,四探針壓點(diǎn)使接觸更方便牢。高高精度高斯計:分辨力:0.01Gs,量程:0-±3T,精度:0.1% ,標準 232 數字接口與控制端口。
電壓電流數采儀:
恒流源量程:±50nA-±50mA,分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續可調,高 精 度 電 壓 數 采 儀 范 圍 0. 1uV-30V,精度:.01%內置測試矩陣轉換卡,
電磁鐵:
極頭直徑 50mm.NS間距10mm時(shí)*大磁場(chǎng)1.07T,間距 20mm 時(shí)*大磁場(chǎng) 0.7T,可實(shí)現在*大磁場(chǎng)范圍內連續,變化(可調)自重 30 公斤。
歐姆接觸套件 :
專(zhuān)業(yè)做歐姆接觸用銦片以及相,應焊接套裝,材料標準樣片,硅片,砷化鎵 2 阻值:300-500 歐姆。
測試系統軟件:
定位采集,數字溫度顯示, I-V,曲線(xiàn)及 I-R 曲線(xiàn)測量,得到體載,流子濃度等各類(lèi)參數曲線(xiàn)圖形。
可測試材料: ?
半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料, 低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料, 高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
樣品測試:
設置控制電流、磁場(chǎng)和霍爾片厚度,點(diǎn)擊“開(kāi)始測試"按鈕,軟件將完成一鍵測試過(guò)程,直至計算出所有霍爾參數。每次測試完后,可選擇保存該計算結果值,然后點(diǎn)擊“清除顯示"按鈕,以進(jìn)入下一次測試。
若保持磁場(chǎng)大小不變,改變控制電流的大小,可通過(guò)畫(huà)圖操作觀(guān)察 Is 與 VH的關(guān)系;若保持控制電流大小不變,改變磁場(chǎng)的大小,可通過(guò)畫(huà)圖觀(guān)察 B 與 VH 的關(guān)系。
聯(lián)系方式
郵箱:gulong@jinzhengmaoyiqi.com 地址:北京市大興區經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區金苑路2號1幢三層